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Si7136DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
60
50
V GS = 10 V thru 4 V
1.2
1.0
25 °C
40
30
20
10
0
3 V
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
T C = 125 °C
- 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
1
2
3
4
5
0.0050
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
4500
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.0044
V GS = 4.5 V
3600
C iss
0.0038
0.0032
0.0026
0.0020
V GS = 10 V
2700
1800
900
0
C rss
C oss
0
10
20
30
40
50
60
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 10 A
1.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
V GS = 10 V
I D = 20 A
8
V DS = 5 V
1.4
6
V DS = 10 V
1.2
V GS = 4.5 V
I D = 17 A
V DS = 15 V
4
2
0
1.0
0.8
0.6
0
12
24
36
48
60
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 73601
S09-0222-Rev. B, 09-Feb-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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